行業(yè)應用
INDUSTRY APPLICATION
【英飛凌新品】3300V,1200A IGBT4 IHV B模塊
產(chǎn)品外觀
知名的IHV B 3.3kV單開關(guān)IGBT模塊經(jīng)過了重大改進，采用第四代溝槽柵/場終止IGBT4和第四代發(fā)射極控制二極管，是中高壓變頻器、牽引變流器和輸電與配電設備等應用的最佳解決方案。
其最新推出的產(chǎn)品組合類型是經(jīng)過優(yōu)化的IGBT和二極管比率，FZ1200R33HE4D_B9足以取代英飛凌和競爭對手的1500A 3.3kV單開關(guān)。
它采用TRENCHSTOP™ IGBT4和發(fā)射極可控EC4二極管，具有更強的功率循環(huán)能力，標準封裝為IHV B 190x140mm²。
與前幾代產(chǎn)品相比，客戶可以輕松切換，同時節(jié)省成本。
拓撲結(jié)構(gòu)
產(chǎn)品型號
FZ1200R33HE4D_B9
關(guān)鍵參數(shù)
產(chǎn)品特點
高短路能力
開關(guān)損耗低
高電流密度
高直流電壓穩(wěn)定性
溝槽柵IGBT4
6
VCEsat帶正溫度系數(shù)
7
低 Qg 和 Cre
8
低VCEsat
9
Tvj op max=150°C
應用價值
2xPC，可實現(xiàn)200%的使用壽命或在相同壽命下，實現(xiàn)110%的輸出功率或8K溫度余量
故障電流RBSOA高達3000A
性能與任何1500A 3.3kV相同
與190x140毫米模塊1:1尺寸互換
在惡劣環(huán)境條件下的使用壽命為30年
競爭優(yōu)勢
與IGBT3 3.3kV競爭類型相比200%功率循環(huán)，可在大多數(shù)應用中實現(xiàn)200%的使用壽命，或在相同使用壽命內(nèi)實現(xiàn)110%的輸出功率，或在相同使用壽命內(nèi)增加8K溫度余量
新足以替代任何1500A 3.3kV型產(chǎn)品
比IGBT3便宜10%
應用領(lǐng)域
機車牽引
工業(yè)驅(qū)動器
輸配電
CAV
來源：英飛凌工業(yè)半導體
以上產(chǎn)品均有貨，歡迎垂詢！
地址：武漢市東湖開發(fā)區(qū)武大科技園武大園路7號航域D8棟
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